承建时间：2020/1/17—2021/5/31
建筑面积：FAB主厂房27.8万m2，项目总用地114.5万m2
洁净面积：7.3万平米
洁净级别：千级
承包范围：1 号建筑（12 英寸存储器生产厂房 1 FAB1）Stage1-3 范围：含 BUS WAY、I-LINE 盘、ACB 盘、桥架、电缆、照明插座等；5 号建筑（综合动力站）、6 号建筑（废水处理站 1）、8 号建筑、18 号建筑 Stage1-3 范围；
项目概述：国家存储器基地项目位于武汉市光谷未来科技城内，项目主要生产12英寸闪存芯片。本工程以设备采购安装为主，尤其以母线、插接箱、电缆、工艺盘柜（I-Line盘）、桥架的体量最大。
行业价值：长江存储科技有限责任公司于2016年7月在中国武汉成立，是一家专注于3D NAND闪存芯片设计、生产和销售的IDM存储器公司。长江存储为全球工商业客户提供存储器产品，广泛应用于移动设备、计算机、数据中心和消费电子产品等领域。2017年，长江存储在全资子公司武汉新芯12英寸集成电路制造工厂的基础上，通过自主研发和国际合作相结合的方式，成功设计并制造了中国首批3D NAND闪存芯片。长江存储在武汉、上海、北京等地设有研发中心，通过不懈努力和技术创新，致力于成为全球领先的NAND闪存解决方案提供商。
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实景图
